分子模拟方法描述石墨烯在6H-SiC表面外延生长；C富层间距有一定规律，1.9埃、1.0埃......；
对比两种键序势函数：Tersoff和TEA势，TEA效果更好；
单层石墨烯生长的退火温度：
TEA势能：1200K；
Tersoff势能：1300K；
锆（Zr）腐蚀研究
Zr合金是目前核反应堆的主要的燃料包覆材料。其中水侧腐蚀是Zr合金最主要的退化机制。氧化物在ZrO2中的输运决定腐蚀动力学。阳离子向外扩散有助于形成氧化物保护层。采用温度加速动力学和MD方法研究了Zr缺陷在ZrO2四面体间隙位置中迁移行为。间隙Zr在四方相ZrO2具有各向异性扩散性，适合[001]或C方向迁移。压应力显著提高间隙Zr原子的迁移能垒。间隙Zr原子在晶界迁移速度明显低于块体氧化物中。
Zr间隙原子在ZrO2中迁移是各向异性，[001]方向是最佳迁移方向。主要是氧原子的偏移导致的；应力对Zr间隙原子迁移影响巨大。
案例中涉及的模块有：
（1）MAPS Platform界面平台
（2）LAMMPS-Atomistic分子动力学计算模块。
（3）Amorphous Builder无定型结构建模模块。
（4）Towhee蒙特卡洛方法计算模块。如模拟多孔材料（如沸石、高分子膜、石墨烯和纳米碳管）和表面的吸附性能。
MAPS材料及化工过程设计平台是一款多尺度、可扩展的平台；能实现科研工作者：对全品类材料的建模、模拟、分析，进而预测和筛选材料的行为。MAPS软件可应用于从量子化学计算到中尺度计算。MAPS软件适合描述含能材料、离子液体、高分子材料、合金材料、复合材料、电池材料等性质。
